В брошюре приведены сведения по применению туннельных диодов в приёмно-усилительных устройствах. Основное внимание уделено разбору типовых схем усилителей, генераторов (маломощных гетеродинов), детекторов и преобразователей частоты. Приводятся практические схемы и даются расчётные соотношения

Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Уважаемые господа! Хочу вас побаловать очередной библиографической редкостью. Вне всякого сомнения, эта книга должна быть первой прочитанной книгой начинающего радиолюбителя. Именно по ней в свое время я, как и тысячи других мальчишек, изучал принципы работы полупроводниковых приборов, - диодов и транзисторов, - и постигал элементарные азы схемотехники. Итак, читайте и наслаждайтесь, книга написана очень доступно.

Даны основные эксплуатационные характеристики, методика расчета режимов питания и выбора вариантов включения светоиэлучающих диодов. Рассмотрены устройства регулирования, усиления, контроля и коммутации с применением светоизлучающих диодов. Приведены практические схемы некоторых устройств и справочные данные светоизлучающих диодов. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием радиоэлектронной аппаратуры.

Описаны принцип работы и конструкция отечественных серийно выпускаемых силовых полупроводниковых приборов и охладителей к ним. Приведены параметры и характеристики приборов и охладителей, методы расчета рабочих и аварийных режимов в зависимости от условий применения, рекомендации по групповому применению. Первое издание вышло в 1975 г. Для инженерно-технических работников, занятых применением полупроводниковых приборов в различных областях техники.

Приведены сведения о физике полупроводниковых опто-электронных приборов и особенностях их применения. Дана информация о параметрах, предельных эксплуатационных режимах и конструкциях отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых оптоэлектронных приборов широкого применения. По сравнению с изданием 1984 г. почти вдвое расширена номенклатура приборов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.

Приведены элекгрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, тиристоров, светодиодов и оптронов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, измерительной и вычислительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Приводятся справочные данные по электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам и зависимостям параметров от режимов использования мощных полупроводниковых диодов. Даются основные области их применения в электронной аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.

Сокращение КМОП - начальные буквы четырех слов из полного определения: комплементарные полевые транзисторы со структурой металл-окисел-полупроводник. Слово комплементарный переводится как взаимно дополняющий. Так называют пару транзисторов, сходных по абсолютным значениям параметров, но с полупроводниковыми структурами, взаимно отображенными как бы в виде негатива и позитива.

В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее перспективно использование мощных полевых транзисторов, при этом уделяется внимание режимам их работы и возможным причинам отказов. Для разработчиков электронных приборов и специалистов, занимающихся применением мощных полевых транзисторов.

В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а также зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. Для удобства работы отечественные и зарубежные типы транзисторов приведены в алфавитно-цифровой последовательности.

Описна ряд приближенных и точных методов теоретического исследования полупроводниковых линейных и нелинейных устройство с сосредоточенными и респределенными линейными цепями с помощью ЭВМ. Приведены практически важные результаты, полученные при исследовании параметрических систем, усилителей и генераторов на туннельных диодах, детекторов, транзисторных умножителей и усилителей мощности. Предназначена для научных работников, исследующих и разрабатывающих СВЧ устройства.

В книге приведены техническия характеристики и конструкции индуктивных элементов, применяемых в бытовой аппаратуре. Описаны свойства магнитных материалов. Даны рекомендации по выбору и применению индуктивных элементов в зависимости от условий эксплуатации.

В справочнике даны общие сведения и характеристики электронных приборах, о полупроводниковых диодах и триодах.

Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.

Для специалистов, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Книга содержит краткие справочные сведения об отечественных и некоторых современных зарубежных типах приемно-усилительных радиоламп, кенотронах, генераторных лампах малой и средней мощности, кинескопах, осциллографических трубках, стабилизаторах напряжения и тока, полупроводниковых диодах и транзисторах. Предназначена книга для широкого круга радиолюбителей-конструкторов.

Популярный рассказ о полупроводниковых приборах — о том, как они устроены, как работают, где применяются, как выращивают и очищают полупроводники, как изготавливают интегральные схемы, как зарождалась полупроводниковая электроника и какие удивительные перемены произошли в мире с ее появлением. В основе работы полупроводниковых приборов лежат свойства кристалла, из которого прибор наготовлен, и свойства барьеров, вовникающих на границе между различными частями кристалла. Поняв свойства полупроводников и преодолев барьеры, можно разобраться в том, как работает любой прибор — от простейшего диода до самой сложной интегральной схемы.
Для учащихся старших классов, студентов, преподавателей.