Раздел: СПРАВОЧНИКИ
Схема управления импульсными стабилизаторами 1155ЕУ1
Микросхема предназначена для управления мощными импульсными стабилизаторами напряжения, схемами управления электроприводом с током коммутации до 5 А.
В состав микросхемы входят: стабилизатор напряжения, ШИМ, усилитель сигнала рассогласования, компаратор, генератор пилообразного напряжения, узлы температурной и токовой защиты и силовой биполярный транзистор.
Микросхема изготавливается в 8-выводном металлостеклянном корпусе типа 4.106.010.
Рис. 1 Структурная схема микросхемы
Назначение выводов микросхемы представлено в таблице, структурная схема приведена на рис. 1, а типовая схема включения — на рис. 2.
Электрические параметры
| Остаточное напряжение (при Uсс = 12В, Iвых = 5А),В |
<2 |
| Опорное напряжение
(при Uсс = 9В),В |
1,9 - 2,1 |
| Ток утечки (при UKOM = 40 В,
Ucc = 9B),мA |
0,3 |
| Ток потребления
(при Ucc = 36), мА |
35 |
| Нестабильность по напряжению ИОН (при Ucc = 9 В), В |
<0,1% |
Режимы эксплуатации
| Коммутируемое напряжение (Ukom), В |
<40 |
| в предельном режиме
(в течение 100 мс), В |
<44 |
| Напряжение питания, В |
6...36 |
| в предельном режиме
(в течение 100 мс), В |
6...40 |
| Зачение статического
потенциала, В |
<500 |
| Выходной ток, А |
<5 |
| в предельном режиме
(в течение 100 мс), А |
<5,5 |
| Рассеиваемая мощность, Вт |
<20 |
| в предельном режиме, Вт |
<22 |
| Рабочая частота, кГц |
<200 |
| Температура кристалла, °С |
<150 |
| Тепловое сопротивление
«корпус-кристалл», °С/Вт |
6,3 |
| Температура окружающей
среды, °С |
-60...+125 |
Примечание: Рассеиваемая мощность в диапазоне температуры от 25 до 125°С снижается линейно на 0,16 Вт/°С.
Рекомендации по применению
При монтаже микросхемы необходимо учитывать, что ее корпус электрически связан с общим проводом ее внутренних узлов.
Принцип действия микросхемы основан на ШИМ преобразовании входного напряжения. Выходное напряжение усилителя сигнала рассогласования (УСР) с помощью коммутатора ШИМ сравнивается с напряжением генератора пилообразного напряжения G. Если напряжение генератора не превышает напряжение УСР, то выход коммутатора находится в состоянии лог. «0», а ключевой транзистор в это время открыт. В процессе формирования фронта пилообразного напряжения генератор вырабатывает прямоугольный импульс, который используется для синхронизации ШИМ. Во время действия синхроимпульса ключевой транзистор находится в закрытом состоянии, т.е. передний фронт управляющих импульсов на выходе формирователя (база ключевого транзистора) совпадает с началом формирования линейно нарастающего участка пилообразного напряжения. Этим исключается влияние нелинейности спадающего участка пилообразного напряжения на параметры ШИМ.
Рис. 2 Типовая схема включения
Конденсатор входного фильтра рекомендуется располагать как можно ближе к выв. 1 и 2 микросхемы, а выв. 5 зашунтировать конденсатором емкостью 0,01...0,1 мкФ.
При использовании микросхемы в схемах с заземленным эмиттером ключевого транзистора (выв. 8) значение времязадающего конденсатора, подключаемого к выв. 3, должно быть не менее 0,025 мкФ.
При температуре кристалла микросхемы более 150°С срабатывает схема температурной защиты. Для восстановления работоспособности схемы необходимо отключить нагрузку и кратковременно выключить напряжение питания (выв. 2).
Если превышен предельно допустимый выходной ток (5 А), срабатывает защита потоку. При отключении нагрузки работоспособность схемы восстанавливается.